65W以上快充新突破，世界先进公司0.35微米650V氮化镓制程量产

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，世界先进公司宣布，其领先的八英寸0.35微米650V新型衬底高压氮化镓工艺已在客户端完成首批产品系统和可靠性验证，正式进入量产，是专用集成电路制造服务领域首家量产该技术的公司。

2018年，世界先进公司利用Qromis衬底技术开发了八英寸QST衬底的0.35微米650V GaN—on—QST工艺，于今年第一季度完成，第四季度成功量产同时，世界先进公司与集成元件制造工厂和IC设计公司进行了合作

与硅衬底相比，QST衬底与氮化镓外延层具有更好的热膨胀系数匹配氮化镓在工艺中堆叠时，还可以减少翘曲碎片，更有利于量产先进公司的0.35微米650V GaN—on—QST工艺可以配合公司现有的八英寸硅片设备进行开发和生产，以实现最佳的生产效率和产量根据客户端的系统验证结果，世界先进公司提供的氮化镓晶片已经在快充市场得到应用，其系统效率达到了65W以上快充产品的世界领先水平此外，基于QST衬底良好的散热特性，国际上先进公司提供的氮化镓晶圆在整体快充方案效率方面散热性能更好

本站了解到，世界先进公司首席运营官魏吉石博士表示:作为专用集成电路制造服务的领先制造商，世界先进公司不断改进工艺技术，为客户提供最有效的完整解决方案和高附加值服务我们的0.35μ m 650V GaN—on—QST工艺具有高效和可靠的优势，不仅为客户提供了更优化的IC设计选择，也有助于提升客户产品的竞争力

世界公司先进的0.35μ m 650V GaN—on—QST工艺，除650V元件外，还提供内置静电保护元件，让客户更方便地进行设计选择此外，这种工艺不仅具有更好的可靠性和可靠性，而且对于更高电压的可扩展性，世界先进公司已经与一些客户合作，以满足他们的产品要求