国星光电：公司MicroLED芯片实现小批量供货已开展GaN功率器件研发高品质的功率器件封测业务

最近几天，国星光电在接受投资者调研时表示，公司聚焦Mini/Micro LED超高清显示领域， 持续推出有核心竞争力的产品系列:Mini LED方面，公司研发覆盖了Mini直显P0.4到P0.9全系列产品，其中 Mini LED P0.4系列产品为全球首发，采用独创 20in1 封装方式，是目前全球封装密度最高的Mini产品，Mini背光方面，公司储备Mini POB，Mini COB，Mini COG三大技术路线，可满足不同客户定制化需求。

Micro LED方面，国星光电发挥子公司国星半导体与本部上下游联动优势，巨量转移工艺取得突破性进展，产品良率高，同时国星半导体已开发了面向于P0.3间距及面向P0.1间距的Micro LED芯片系列，并实现小批量供货给国星光电研究院。此外，关于第三代半导体，国星光电表示，主要是由公司研究院的几位博士带领10-15人的研究团队，研发的产品主要是电力电子用功率器件，包括SBD，MOSFET，DFN，QFN等产品，以及一些定制化的模块，主要针对车辆，充电桩等市场领域，公司也在积极联系这些领域的终端客户。

国星光电称，目前国星半导体以 RGB芯片，倒装芯片，紫光芯片等利基型产品为主，同时研发布局Mini和Micro领域，形成了Mini背光和Mini显示两大系列的芯片产品，同时发挥上下游垂直联动的优势，协同

本部研究院进行Micro LED关键技术的攻关，在第三代半导体领域，联合多所高校及研究所，发挥产学研协同优势，展开GaN功率器件，紫外探测器芯片，深紫外UVC芯片等方向的研发工作，参与两项第三代半导体方向的省级研发项目。。

对于第三代半导体的布局，国星光电表示，公司一直高度关注三代半领域的技术发展与技术研究，致力于打造高可靠性，高品质的功率器件封测业务在上游芯片领域，公司有布局硅基氮化镓的外延芯片，中游封装领域，公司已建成第三代半导体功率器件实验室及试产线，下游应用领域公司也在积极与相关企业洽谈战略性合作，并针对客户的应用需求定制开发样品等