SiC和GaN相关的宽带隙功率元件价格大幅下降成本仍是打开市场的关键
发布时间：2021-08-10 17:54 来源：IT之家 阅读量：8893
据Digitimes报道，半导体厂商英飞凌大中华区电源及传感系统事业部助理经理陈志兴最近几天表示，公司SiC，GaN等新材料产品已进入量产，未来这类功率芯片的制造将从主流的6英寸工厂转向8英寸晶圆工厂，这是国际厂商看好的趋势。
陈志兴指出，SiC和GaN相关的宽带隙功率元件价格大幅下降，但成本仍是打开市场的关键碳化硅和氮化镓芯片的价格差距不大，但这两种产品与纯硅产品的成本差距确实存在，目前成本还是比较高的
英飞凌预测，未来伴随着生产规模，产能投入和产量控制的共同推进，SiC和GaN功率元件的成本有望得到有效降低预计3—5年后成本将降至与硅基组件相近的水平，后端工艺技术将持续进步
IT之家了解到，英飞凌通过使用一家12英寸的晶圆厂，率先生产硅基电源组件最近几年来，伴随着手机和电脑充电器的发展，GaN芯片得到了广泛应用，相关制造技术也在快速推进由于SiC碳化硅功率元件已经生产了20多年，英飞凌表示，这些芯片以前是在2英寸和4英寸晶圆厂生产，现在转向主流的6英寸，未来用8英寸工厂也是正常的
（责编：山歌）
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